Geplatzte Wolfspeed-Übernahme Was sagt Infineon?

Unser Power-Redakteur Ralf Higgelke mit Dr. Peter Wawer (rechts), dem neuen Division President Industrial Power Control (IPC) bei Infineon Technologies.
Unser Power-Redakteur Ralf Higgelke mit Dr. Peter Wawer (rechts), dem neuen Division President Industrial Power Control (IPC) bei Infineon Technologies.

Am 16.2.2017 war bekannt geworden, dass Infineon den SiC-Pionier Wolfspeed doch nicht übernehmen darf. Die DESIGN&ELEKTRONIK fragte Dr. Peter Wawer, als Division President IPC für Siliziumkarbid verantwortlich, warum dieses Vorhaben schief ging, und was Infineon nun zu gedenken tut.

Herr Dr. Wawer: Im Juli 2016 wurde die geplanten Übernahme von Wolfspeed angekündigt. Diese konnte nun nicht abgeschlossen werden, woran lag es?

Dr. Peter Wawer: Anfang Februar hat uns CFIUS, also der ressortübergreifende Genehmigungsausschuss der US-Regierung, darüber informiert, dass der geplanten Kauf von Wolfspeed ein Risiko für die nationale Sicherheit der Vereinigten Staaten von Amerika darstelle. In der Folge ließen sich trotz intensiven Dialogs mit CFIUS keine Maßnahmen identifizieren, mit denen die Bedenken gegen die Übernahme entkräftet werden konnten. Deshalb haben Cree und Infineon den gestellten Antrag auf Genehmigung des Kaufs zurückgezogen.

Siliziumkarbid liegt ja in Ihrer Verantwortung. Wolfspeed hätte Infineon bei diesem Thema sicherlich enorm weitergebracht. Wie geht es beim Marktführer Leistungselektronik da jetzt weiter?

Dass die Übernahme nicht wie geplant stattfinden konnte, bedauern wir natürlich. Die Mitarbeiter von Wolfspeed und von Infineon hatten sich sehr auf die Zusammenarbeit gefreut. Aber: Unser existierendes Geschäft steht auch ohne die geplante Akquisition von Wolfspeed auf einer sehr soliden Grundlage. Unsere SiC-Wafer werden wir nach wie vor auch von Wolfspeed beziehen. Das Portfolio an Verbindungshalbleitern wird jetzt beschleunigt aus eigener Kraft erweitert – damit wir unseren Kunden die mit Blick auf Kosten und Performance besten Produkte anbieten können. Der 1200 V SiC-Trench-MOSFET, den wir auf der PCIM 2016 vorgestellt haben, war da nur der Anfang. Beim Thema SiC werden Sie 2017 in Nürnberg wieder einiges Neues entdecken. Schauen Sie vorbei, es lohnt sich.

Herr Dr. Wawer, besten Dank für Ihre Einshätzungen.