Transphorm und Fujitsu Semiconductor Start der Massenproduktion von GaN-Leistungshalbleitern

Durch die Überführung in Fujitsus CMOS-kompatibler 150-mm-Wafer-Fab in Aizu-Wakamatsu (Japan) möchte Transphorm die Lieferkette mit GaN-Leistungshalbleitern sicherstellen.

Transphorm und Fujitsu Semiconductor haben bekanntgegeben, dass in der CMOS-kompatiblen 150-mm-Waferfertigung in Aizu-Wakamatsu (Fukushima, Japan) von Fujitsu die Massenproduktion von Galliumnitrid-Leistungsbauelementen (GaN) für Schaltanwendungen begonnen hat. Die automotive-qualifizierte Fab, die Transphorm exklusiv als GaN-Foundry dient, soll Transphorms Geschäft mit GaN-Leistungsbauelement dramatisch erweitern. Dies vergrößerte Produktion soll den steigenden Anforderungen des Marktes für GaN-Geräten gerecht werden, wodurch die nächste Welle kompakter, energieeffizienter Leistungswandler.

Im Jahr 2013 verkündeten Fujitsu Semiconductor und Transphorm, ihre Geschäftstätigkeit mit GaN-Leistungsbauteilen zusammenzulegen. Seitdem hat wurde Transphorms JEDEC-qualifizierter Prozess mit der Basistechnologie von Fujitsu Semiconductor kombiniert und an die CMOS-kompatible 150-mm-Fab von in Aizu angepasst, um siliziumkompatible Bausteine in hohen Volumina fertigen zu können. Dies ist nun abgeschlossen, und die Massenproduktion in Aizu-Wakamatsu hat begonnen.

»Durch die Herstellung von GaN-Bausteinen in Fujitsus Aizu-Wakamatsu-Fab soll unsere Kunden die Sicherheit haben, eine skalierbare, stabile Versorgung mit Produkten mit Fujitsus bewährtem, qualitativ hochwertigem Standard in der Massenfertigung zu erhalten», sagt Fumihide Esaka, CEO von Transphorm. »Wir werden unsere GaN-Bausteine weiterhin in Partnerschaft mit Fujitsu Semiconductor erweitern.«