JEDEC-Ausschuss gebildet Standardisierung bei GaN und SiC

Unter der Leitung von Infineon, Texas Instruments und Wolfspeed wird der JEDEC-Ausschuss JC-70 die Standardisierung bei GaN und SiC vorantreiben.
Unter der Leitung von Infineon, Texas Instruments und Wolfspeed wird der JEDEC-Ausschuss JC-70 die Standardisierung bei GaN und SiC vorantreiben.

Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) sind die am weitesten ausgereiften Wide-Bandgap-Leistungshalbleitermaterialien, doch gibt es kaum Normen in diesem Bereich. Nun hat die JEDEC den Ausschuss JC-70 gebildet, der sich der Standardisierung annehmen soll.

Die JEDEC Solid State Technology Association hat die Gründung eines neuen JEDEC-Komitees bekanntgegeben: JC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors. Unter der Leitung von Infineon, Texas Instruments und Wolfspeed wird das neue JC-70-Komitee zunächst zwei Unterausschüsse bilden: Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC). Sie werden sich jeweils auf Zuverlässigkeits- und Qualifizierungsverfahren, Datenblatt-Bestandteile und Parameter sowie Test- und Charakterisierungsmethoden konzentriert.

Zum ersten Mal trift sich das Komitee am 5. Oktober 2017 in Albuquerque (New Mexico) im Rahmen des fünften IEEE-Workshops zu Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA). JEDEC-Treffen stehen nur Ausschussmitgliedern und geladenen Gäste offen, interessierte Unternehmen weltweit sind eingeladen, der JEDEC beitreten, um an den Standardisierungsarbeiten teilzunehmen.

Während eines Branchentreffens im Frühjahr 2016 wurde eine Arbeitsgruppe gegründet. Als GaNSPEC DWG benannt, begann diese, die notwendigen Grundlagen für die Entwicklung von Standards für GaN zu legen. Kurz darauf begann die JEDEC die Gruppe logistisch zu unterstützen.

Schon bald wurde die GaNSPEC DWG mit einem Gegenstück verbunden: der SiCSPEC-Arbeitsgruppe. Beide Gruppen wuchsen auf fast 50 Bauteil- und Ausrüstungshersteller, Technologieschaffende, akademischen Vertreter und Regierungslabore aus den USA, Europa und Asien.