II-VI Advanced Materials SiC-Wafer mit 200 mm Durchmesser

II-VI Advanced Materials hat einen Siliziumkarbid-Wafer mit 200 mm Durchmesser vorgestellt. Damit soll es möglich werden, Halbleiterbauelemente aus diesem Material noch kosteneffektiver zu fertigen.

Auf der CS-MANTECH-Konferenz (Compound Semiconductor Manufacturing Technology) in Scottsdale (Arizona) sowie dem International SiC Power Electronics Applications Workshop (ISiCPEAW) in Stockholm konnten Besucher einen SiC-Wafer mit 200 mm Durchmesser bewundern – laut II-VI Advanced Materials der weltweit erste.

»Dies ist ein direktes Ergebnis unserer konsequenten Ausrichtung darauf, den Markt mit qualitativ hochwertige Substraten bei den jeweils benötigten Durchmessern zu versorgen, um die Halbleiterherstellung noch kostengünstiger zu machen«, freut sich Dr. Thomas Anderson, Geschäftsführer von II-VI-Advanced Materials, und führt weiter aus: »Unsere SiC-Substrate mit 150 mm Durchmesser sind bereits seit einiger Zeit verfügbar und wurden von den Kunden sehr gut angenommen. Die deutlich steigende Nachfrage zeigt, dass größere Wafer-Durchmesser der Weg zu höherer Wirtschaftlichkeit bei Leistungsbauelementen aus Siliziumkarbid ist. Bauteile auf Basis dieser Substrate werden oder sind bereit bei einer breiten Palette von Anwendungen im Einsatz, die eine hohe Leistungsdichte und Systemwirkungsgrad benötigen. Darunter fallen beispielsweise Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für Fotovoltaik und anderen erneuerbaren Energien.«

Dieses Entwicklungsprogramm stützt sich auf jahrelange Arbeit, die zum Teil vom AFRL (US Air Force Research Laboratory) gefördert wurde. Es konzentriert sich auf die großtechnische Umsetzung des APVT-Kristallwachstums (Advanced Physical Vapor Transport) von Siliziumkarbid sowie die Entwicklung moderner Herstellungs-, Polier- und Reinigungsprozesse. Diese Anstrengungen hätten laut II-VI Advanced Materials zu hochwertigem Material geführt, während gleichzeitig der Durchmesser der SiC-Substrate von anfangs 3 Zoll auf 100 mm, dann auf 150 mm und jetzt auf 200 mm gestiegen ist.