STMicroelectronics SiC-MOSFET arbeitet bis +200 °C

Der Richtpreis für den 1200-V-SiC-MOSFET liegt bei 35,- US-Dollar.
Der Richtpreis für den 1200-V-SiC-MOSFET liegt bei 35,- US-Dollar.

Einen Leistungs-MOSFETs aus Siliziumkarbid (SiC), der sich für Betriebstemperaturen bis 200 °C eignet, hat STMicroelectronics vorgestellt. Der SCT30N120 bietet einen Durchlasswiderstand von höchstens 100 mΩ (typ.) über den gesamten Temperaturbereich und soll Juni 2014 in die Massenfertigung gehen.

Nach Cree und Rohm präsentiert nun auch STMicroelectronics einen Leistungs-MOSFETs aus Siliziumkarbid. Das Besondere am SCT30N120 mit 1200 V Sperrspannung ist, dass er den maximalen Drain-Strom von 45 A auch bei +200 °C tragen kann. Möglich macht das unter anderem das proprietäre HiP247-Gehäuse, das in seinem Umriss dem Industriestandard entspricht und optimierte thermische Eigenschaften aufweist. Das Bauteil wird zurzeit bemustert und soll bis Juni 2014 in die Massenfertigung gehen. Der Richtpreis beträgt 35,- US-Dollar (ab 1.000 Stück).

Durch die sehr schnelle und robuste Body-Diode können Anwender auf eine externe Freilaufdiode verzichten, was Kosten und Platz auf der Leiterplatte einspart. Die Gate-Ladung des Bausteins beträgt 105 nC (typ.), der Leckstrom weniger als 10 μA (typ.).

Ein besonderes Anwendungsgebiet des SCT30N120 könnte neben PV-Wechselrichtern und Enterprise-Computing-Systemen die Elektromobilität sein, da sie die Energieeffizienz steigern und außerdem die Größe der Traktionssysteme reduzieren können. Die gegenüber herkömmlichen Bauelementen aus Silizium und den SiC-MOSFETs der Mitbewerber verbesserte Temperaturfestigkeit auf +200 °C könnte auch das Design der Kühlsysteme in den Fahrzeugen vereinfachen.