Schottky-Dioden SiC-Bausteine im voll isolierten Gehäuse

Die zweite Generation SiC-Schottky-Dioden der Baureihe »ThinQ!« hat Infineon in ein voll isoliertes TO-220-FullPAK-Gehäuse gepackt. Das soll die Montage einfacher und zuverlässiger machen, Isolationsdurchführung und -folie sind nicht mehr nötig.

Die neuen TO220-FullPAK-Dioden weisen einen ähnlichen thermischen Widerstand zwischen Sperrschicht und Kühlköper auf wie nicht isolierte Standard-TO-220-Bauelemente. Möglich macht dies eine besondere Diffusions-Löttechnik, mit der der thermische Widerstand vom Chip zum Leadframe deutlich reduziert und so die interne Isolationslage des FullPAK kompensiert wird. Infineon bietet das 600-V-Portfolio mit Stromstärken von 2 A bis 6 A an. Das typische Anwendungsfeld von SiC-Dioden ist die Leistungsfaktor-Korrektur (PFC) in Schaltnetzteilen und in anderen AC/DC- und DC/DC-Spannungswandlern wie in Solar-Invertern oder Motorantrieben.

Infineon bietet SiC-Schottky-Dioden mit 600 V und 1200 V Sperrspannung an. Das komplette Portfolio der TO220-FullPAK-Dioden ist bereits in der Produktion, mit Preisen, die den Varianten im standardmäßigen TO220-Gehäuse entsprechen.