Leistungsdioden SemiSouth bietet SiC-Schottky-Dioden bis 30 A

Die Siliziumkarbid-Diode »SDP30S120« kann bis zu 30 A leiten
Die Siliziumkarbid-Diode »SDP30S120« kann bis zu 30 A leiten

Mit der »SDP30S120« hat SemiSouth eine Siliziumkarbid-Diode für 1200 V Sperrspannung und 30 A Strombelastbarkeit im TO-247-Gehäuse vorgestellt. Diese eignet sich besonders für PFC-Schaltungen beispielsweise in Solar-Wechselrichtern.

Damit umfasst das Angebot von SemiSouth ROHS-konforme 1200-V-Typen mit Strombelastbarkeiten von 5 A bis 30 A. Diese SiC-Dioden sind Komplementärangebote zu den Normally-off-SiC-JFETs des Herstellers. Während die 5-A- und 10-A-Dioden im TO-220-Gehäuse kommen, sind die 10-A-, 20-A- sowie 30-A-Diode im TO-247-Gehäuse untergebracht.

Diese Bauteile können in vielen Anwendungen Vorteile bringen. Im Boost-Bereich von Solar-Wechselrichtern beispielsweise können sie den Wirkungsgrad signifikant erhöhen. Weitere Anwendungsbereiche sind Schaltreglerstromversorgungen. Leistungsfaktorkorrekturschaltungen, Induktionsherde, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Motorsteuerungen. Geplant sei, die Serie schon sehr bald um 60-A-Modelle zu erweitern.