Infineon Technologies Neues TO-Leadless-Gehäuse für bis zu 300 A

Einen Einschaltwiderstand von maximal 0,4 mΩ hat der 30-V-MOSFET mit dem neuen Gehäuse
Einen Einschaltwiderstand von maximal 0,4 mΩ hat der 30-V-MOSFET mit dem neuen Gehäuse

Ein neues TO-Leadless-Gehäuse, das neben einem reduzierten Package-Widerstand signifikant geringere Abmessungen und ein verbessertes EMV-Verhalten bietet, hat Infineon vorgestellt. In dem Gehäuse ist die neueste »OptiMOS«-Generation des Unternehmens untergebracht.

Das neue TO-Leadless-Gehäuse hat Infineon Technologies für hohe Stromstärken bis zu 300 A entwickelt. Dank seines reduzierten Package-Widerstands ermöglicht es laut Hersteller den geringsten Durchlasswiderstand RDS(on) in allen Spannungsklassen. Der Wert variiert von maximal 0,4 mΩ bei 30-V-Typ bis zu 5,9 mΩ beim 150-V-MOSFET. Als Anwendungen für diese Bauteile sieht man Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge, elektronische Sicherungen (eFuse), Spannungsreglermodule (Point-of-Load-Wandler) und Telekom-Systemen.

Im Vergleich zu einem 7-poligen D²PAK ist die Grundfläche des Gehäuses um 30 Prozent kleiner und benötigt entsprechend weniger Leiterplattenfläche. Die um 50 Prozent reduzierte Gehäusehöhe bietet zudem weitere Vorteile in kompakten Anwendungen wie in Schaltschränken oder Blade-Servern. Darüber hinaus ermöglicht die geringe parasitäre Induktivität ein verbessertes EMV-Verhalten.

Außerdem verfügt das neue TO-Leadless-Gehäuse über einen um 50 Prozent größeren Lötkontaktbereich, was zu einer geringeren Stromdichte führt. Damit lässt sich die Elektromigration bei hohen Strömen und hohen Temperaturen verhindern, was die Zuverlässigkeit verbessert. Im Unterschied zu anderen Leadless-Gehäusen erlaubt die besondere Form der Anschlüsse im TO-Leadless eine optische Inspektion der Lötung.

Muster sind verfügbar, Volumenstückzahlen sind laut Infineon für das dritte Quartal 2013 geplant.