Power-MOSFETs Neue 25-V-Bausteine von Renesas Electronics steigern FOM um 40 Prozent

Bis zu 40 A leiten können die neuen Power-MOSFETs von Renesas.

Für den Einsatz in DC/DC-Wandlern hat Renesas Electronics die MOSFETs der Serie »RJK021xDPA« vorgestellt. Diese 25-V-Bausteine haben eine FOM von höchstens 7,2 mΩ•nC, etwa 40 Prozent besser als die bisherigen MOSFETs des Herstellers.

Während der »RJK0210DPA« bis zu 40 A leiten kann, sind es beim »RJK0211DPA« 30 A sowie 25 A beim »RJK0212DPA«. Damit eignen sie sich für Abwärtswandler, um die 12 V Versorgungsspannung einer Batterie in 1,05 V umzuwandeln, die z.B. eine CPU benötigt. Darüber hinaus beträgt die Gate-Drain-Kapazität (QGD) bei den neuen Produkten 1,2 nC, 0,9 nC bzw. 0,6 nC. Die neuen MOSFETs kommen im WPAK-Gehäuse, das 5,1 mm x 6,1 mm groß und maximal 0,8 mm hoch ist. Die Unterseite des Bausteins besitzt ein Die-Pad zur Übertragung der Verlustwärme an die Leiterplatte.

Muster der neuen Power-MOSFETs sind jetzt erhältlich. Die Massenproduktion soll im Dezember 2010 beginnen.