Anwenderforum Leistungshalbleiter Intensive Schulung zu MOSFET & Co.

Am 22. und 23. November 2017 kamen über 220 Teilnehmer, Aussteller und Referenten zum Anwenderforum Leistungshalbleiter. Nächstes Jahr wird es am 7. und 8. November 2018 stattfinden.
Am 22. und 23. November 2017 kamen über 220 Teilnehmer, Aussteller und Referenten zum Anwenderforum Leistungshalbleiter. Nächstes Jahr wird es am 7. und 8. November 2018 stattfinden.

MOSFET & Co. sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch der Markt ist sehr breit. Hinzu kommen noch die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter SiC und GaN. Das Anwenderforum Leistungshalbleiter lieferte über 220 Teilnehmern, Ausstellern und Referenten eine intensive Schulung.

Begleitet wurde das Anwenderforum Leistungshalbleiter am 22. und 23. November 2017, das in enger Zusammenarbeit mit den Industriepartnern Infineon und Vishay realisiert wurde, von einer Tabletop-Messe. Insgesamt 22 Referenten von 16 Unternehmen und Forschungsinstituten deckten mit 23 Vorträgen die ganze Themenvielfalt der Leistungshalbleiter ab. Das nächste Anwenderforum Leistungshalbleiter wird am 7. und 8. November 2018 stattfinden.

Bei der Eröffnungs-Keynote stellte Dieter Liesabeths, Director Power Sales EMEA bei Wolfspeed, klar heraus, dass die Automobilindustrie eine der ersten sein wird, die Wide-Band-Gap-Halbleiter in großem Stil einsetzen werden. Daran schloss sich ein 60-minütiges Intensivseminar von Dr. Peter Friedrichs, Senior Director SiC bei Infineon, an. Sein Thema: Siliziumkarbid in der Anwendung. Auch der Rest des Vormittags drehte sich um dieses Wide-Bandgap-Material. Marcus Preuß, Field Applications Engineer bei ON Semiconductor, stellte Fakten, Vorteile und Herausforderungen bei GaN und SiC gegenüber. Salvatore La Mantia von STMicroelectronics referierte über Performance und Zuverlässigkeit von SiC in Industrie-Anwendungen. Er zeigte auch, welche Anstrengungen ST im sizilianischen Catania unternimmt, um die Fertigungskapazitäten für SiC zu vergrößern.

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Anwenderforum Leistungshalbleiter

MOSFET & Co. sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch der Markt ist sehr breit. Hinzu kommen noch die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter SiC und GaN. Das Anwenderforum Leistungshalbleiter lieferte über 220 Teilnehmern, Ausste

Der Nachmittag stand ganz im Zeichen von Galliumnitrid. Nach der Keynote von Frédéric Dupont, Mitgründer und CEO des französischen GaN-Start-ups Exagan, wie er sich die Industrialisierung von GaN-Halbleitern vorstellt,  gab Dr. Jim Honea, Senior Manager Applications Engineering bei Transphorm, eine 60-minütige Einführung zu Galliumnitrid mit besonderem Fokus auf die Zuverlässigkeit von GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistor). Dem schloss sich Jason Xu, Senior Application Engineer bei GaN Systems, mit einer experimentellen Gegenüberstellung von GaN-E-HEMTs und SiC-MOSFETs bei verschiedenen Arbeitstemperaturen an. Francois Perraud, Technical Marketing and Product Manager Semiconductors bei Panasonic, beleuchtete ebenfalls das Thema Zuverlässigkeit, und zwar bei den X-GaN-Bausteinen aus dem Hause Panasonic, deren HD-GiT-Struktur (Hybrid-Drain Gate-Injection-Transistor) auch Infineon für seine CoolGaN-Bauasteine lizensiert hat. Eine Weltneuheit präsentierte Eric Moreau, Product & Application Director bei Exagan. Neben den G-FET-Transistoren wird das Unternehmen im nächsten Jahr mit G-Drive auch integrierte GaN-Schalter mit Treiber- und Schutzschaltungen auf den Markt bringen. Der erste Tag endete mit den Vorträgen von Achim Endruschat vom Fraunhofer IISB zur anwendungsnahen Charakterisierung von Leistungstransistoren für das modellgestütze Systemdesign sowie von Dr. Christian Römelsberger von CADFEM zur simulationsgestützten Entwicklung leistungselektronischer Schaltungslayouts. Er half den Anwesenden verstehen, wie sich parasitäre RLC-Komponenten auf das Schaltverhalten auswirken und wie sie sich optimieren lassen.

Zweiter Tag

Zur Eröffnung des zweiten Tages blickte Dr. Peter Wawer, Division President IPC bei Infineon, in die Zukunft, wie Siliziumkarbid die Leistungselektronik verändern werde. Dennoch, so räumte er ein, werde Silizium auch weiterhin die Leistungselektronik bestimmen. Siliziumhalbleiter prägten auch das Programm dieses Vormittags. Dr. Martin Schulz, Application Engineering Manager bei Infineon, ging in seinem 60-minütigen Intensivseminar auf die Zuverlässigkeit und Robustheit von Power-Modulen ein. Dem staunenden Publikum führte er unter anderem exklusive Videos vor von den zerstörerischen Kräften, die in IGBT-Modulen wirken können. Danach zeigte Edison Kasapoglu von Vishay anhand des neuen PowerPAK 8x8, wie wichtig in der Anwendung das richtige Gehäuse für einen MOSFET ist. Dr. Alberto Salinaro von ON Semiconductor beschrieb anschließend, worauf bei der Implementierung von IGBTs ins eigene Design zu achten ist. Den Vormittag beschloss Peter Beckedahl, Head of International Application bei Semikron, mit einem Ausblick, wie Power-Module mit Siliziumkarbid auszusehen hätten.

Am Nachmittag betonte Keynote-Sprecher Norbert Pieper, Senior Vice President Business Development bei Vishay, dass sein Unternehmen ganz bewusst auf das auch weiterhin dominierende Silizium setze und die noch marginalen Umsätze bei Wide-Bandgap anderen überlasse. Darauf folgte Christian Felgemacher von Rohm Semiconductor. Er beschrieb die Eigenschaften und die Zuverlässigkeit von SiC-Double-Trench-MOSFETs. In seinem zweiten Vortrag ging Dieter Liesabeths von Wolfspeed auf verschiedene Applikationsbeispiele und Designherausforderungen mit SiC-MOSFETs ein. Wie sich hart schaltende Totem-Pole-Halbbrücken mit Siliziumkarbid verhalten, war das Thema des Vortrags von Matthias Tauer vom Modulspezialisten Vincotech. Ebenfalls auf IGBT-Module ging Muzaffer Albayrak von Mitsubishi Electric ein. Er stellte die siebte Generation der »Intelligenten Power-Module« des Unternehmens im Detail vor. Der zweite Tag endete mit den Vorträgen von R.S. Chin und Jochen Krieger, beide von Vishay, die auf die ESD-Festigkeit von Dioden sowie bidirektionale TVS-Dioden in sehr kleinen Gehäusen eingingen.