International Rectifier Heimkinosystem nutzt als erstes GaN-auf-Silizium-Bausteine

International Rectifier hat nun erstmals im großen Umfang Produkte ausgeliefert, die auf ihrer GaN-basierten Leistungsbaustein-Technologieplattform beruhen. Sie kommen in einem Heimkinosystem von Samsung zum Einsatz.

Vor zehn Jahren hat International Rectifier begonnen, an einer Technologieplattform für Leistungsbausteine zu forschen, die auf Galliumnitrid als Halbleitermaterial basiert. Nachdem auf der electronica 2008 die GaN-on-Si-Epitaxie-Plattform vorgestellt wurde, hat das Unternehmen nun mit dem kommerziellen Vertrieb begonnen. Erster Großabnehmer ist Samsung, wo diese Bausteine in ihrem neuesten Heimkinosystem einsetzt.

»Dies stellt eine weitere Stärkung von IRs Führungsposition bei Leistungshalbleitern dar und läutet eine neue Ära in der Leistungsumwandlung ein – alles in voller Übereinstimmung mit unserer Hauptaufgabe, unseren Kunden beim Energiesparen behilflich zu sein,« konstatierte Oleg Khaykin, President und Chief Executive Officer von IR. »GaN hat das Potenzial, langfristig in jeden Geschäftsbereich und jede Produktfamilie von IR vorzudringen. Wir sind begeistert von GaN und sehen es als eine der wesentlichen Triebfedern für unser langfristiges Umsatzwachstum sowie für die Vergrößerung unseres Marktanteils«, ist Oleg Khaykin überzeugt.