Anwenderforum Leistungshalbleiter GaN? SiC? Oder doch lieber Silizium?

Infineon unterstützt das Anwenderforum Leistungshalbleiter mit hochkarätigen Sprechern: Dr. Peter Friedrichs, Dr. Peter Wawer und Dr. Martin Schulz (v.l.n.r.)
Infineon unterstützt das Anwenderforum Leistungshalbleiter mit hochkarätigen Sprechern: Dr. Peter Friedrichs, Dr. Peter Wawer und Dr. Martin Schulz (v.l.n.r.)

Inzwischen stehen neben Leistungshalbleitern aus Silizium auch solche aus GaN und SiC zur Verfügung. Das macht es dem Praktiker nicht einfacher, das richtige Bauteil für seine Anwendung auszuwählen. Ziel des Anwenderforums Leistungshalbleiter am 22. und 23.11.2017 ist, da Klarheit zu schaffen.

Leistungshalbleiter sind Kernkomponenten jedes Netzteils, DC/DC-Wandlers oder Umrichters. Doch der Markt für MOSFET, IGBT & Co. ist sehr breit; es gibt eine Menge von Herstellern, die solche Komponenten in einer nicht zu überblickenden Vielfalt anbieten. Hinzu kommen noch die neuen Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Wie soll sich der Anwender, dessen Stärken zuweilen nicht in der Leistungselektronik liegen, in diesem »Dschungel« zurechtfinden und den für seine Anwendung passenden Leistungshalbleiter identifizieren? Wo liegen die Vor- und Nachteile der unterschiedlichen Leistungshalbleiter-Lösungen?

Hilfestellung sollen Entwickler auf dem Anwenderforum Leistungshalbleiter erhalten, das die Markt&Technik sowie DESIGN&ELEKTRONIK vom 22. bis 23. November 2017 im Konferenzzentrum München veranstalten. Das Programm ist nun online, ab sofort können Sie sich anmelden.

Begleitet wird die zweitägige Veranstaltung von einer Table-Top-Messe verschiedener Hersteller und Anbieter von Leistungshalbleitern. Die Veranstaltung richtet sich in erster Linie an Entwickler im Bereich Leistungselektronik aus der DACH-Region, und findet überwiegend in deutscher Sprache statt. Applikationstechnisch widmet sich die Veranstaltung vor allem dem Einsatz von Leistungshalbleitern in den Bereichen Industrieelektronik, Medizintechnik, Erneuerbaren Energien und Automotive.

Jeder der beiden Veranstaltungstage wird durch Keynotes bekannter Persönlichkeiten aus dem Bereich Leistungshalbleiter eröffnet. Angesagt haben sich Dr. Peter Wawer, als Division President IPC verantwortlich für das Thema IGBT und SiC bei Infineon. Frédéric Dupont, CEO von Exagan, wird seine Vision von Hochvolt-GaN-Transistoren darlegen. Norbert Pieper wird als Senior Vice President Business Development von Vishay deren Sicht von auf die Leistungshalbleiter betrachten. Und Dieter Liesabeths, Director Power Sales EMEA bei Wolfspeed, wird auf die Herausforderungen der Automobil-Industrie in Bezug auf Wide-Band-Gap-Materialen eingehen.

In drei Intensivseminaren zu den Bereichen Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid werden die Teilnehmer fit gemacht. Dr. Peter Friedrichs, Senior Director SiC bei Infineon, referiert 60 Minuten zu dem Thema »Siliziumkarbid in der Anwendung«, Dr. Kurt Smith, Reliability Manager bei Transphorm, spricht über »GaN Power Switch Reliability« und Dr. Martin Schulz, Application Engineering Manager bei Infineon, bespricht das Thema »Zuverlässigkeit und Robustheit von Power-Modulen«.

Rund zwei Dutzend Vorträge werden den Besuchern des ersten Anwenderforums Leistungshalbleiter der Markt&Technik und Design&Elektronik, Informationen von Profis für Profis bieten.