VisIC Technologies kooperiert mit TSMC Erstes GaN-auf-Silizium-Powermodul schafft 1200 V/50 A

Unter dem Lüfter versteckt sich das erste GaN-Powermodul für 1200 V/80 A, vorgestellt von VisIC.
Unter dem Lüfter versteckt sich das erste GaN-Powermodul für 1200 V/50 A, vorgestellt von VisIC.

VisIC Technologies bemustert gerade ihr Halbbrücken-Modul VM40HB120D mit selbstsperrenden 1200-V-GaN-HEMTs von TSMC. Schlüsselkunden testen nun diese Muster. Ein Demonstrator soll auf der PCIM Asia 2018 zu sehen sein.

Gerade einmal 40 mΩ beträgt der RDS(on) des Halbbrücken-Moduls VM40HB120D, das VisIC Technologies vorgestellt hat und auf deren proprietärer ALL-Technologie (Advanced Low Loss) basiert. Mit Dauerströmen von 50 A (im Datenblatt stehen 80 A) und Pulsströmen bis 180 A eignet sich das 1200-V-Modul besonders für Anwendungen wie Elektromobilität, Datenzentren sowie Solarumrichtern. Die selbstsperrenden (normally-off) GaN-auf-Silizium-HEMTs und Gate-Treiber (Puffer) sind mit Temperatur- und Stromsensoren in einem einzigen Gehäuse integriert.

Gefertigt werden die GaN-HEMTs von TSMC auf deren 650D-Prozess, sodass deren Schaltenergie mit nur 140 µJ angegeben ist – fünf Mal weniger als bei vergleichbaren SiC-MOFETs. »TSMC hat erhebliche Kapital- und Engineering-Investitionen in unsere GaN-Fertigungskapazitäten getätigt, sodass sich diese Plattform für VisIC und die Anforderungen seiner Kunden gut eignet«, freut sich Maria Marced, President von TSMC EMEA.

»Durch diese Partnerschaft kann VisIC die Produktionskapazität sehr schnell zu erhöhen«, betont Gregory Bunin, der CTO von VisIC. »TSMC ist ein erstklassiger Partner in unserer Lieferketten, und ich bin zuversichtlich, dass er die dramatischen Wachstumserwartungen, die wir für unsere GaN-Leistungsbauteile erwarten, unterstützen können«.