Infineon Technologies »DrBlade« – die neue Generation »DrMOS«

Auf der APEC 2013 hat Infineon »DrBlade« vorgestellt – einen MOSFET-Treiber mit MOSFET-Halbbrücke in einem neuartigen Package. Dies ermöglicht höchste Effizienz bei Applikationen für die Spannungsregelung in Computer- und Telekommunikationssystemen.

»DrBlade« basiert auf dem Konzept der Einbett-Technik von Chips, im vorliegenden Fall von MOSFET-Treibern und »OptiMOS«-MOSFETs. Übliche Verbindungsverfahren wie Draht- oder Clipbonden sowie herkömmliche Presstechniken werden durch galvanische Prozesse ersetzt. Zudem sind die Chips durch eine beschichtete Folie geschützt. Dies ermöglicht eine wesentlich kleinere Gehäusegröße, niedrigen Gehäusewiderstand und -induktivität sowie einen geringen thermischen Widerstand.

Mit Abmessungen von 5 mm x 5 mm und einer Bauteilhöhe von 0,5 mm erfüllt das neue Gehäuse sowohl die Anforderungen an höhere Leistungsdichte als auch an den Platzbedarf in Computing-Systemen. Dank seiner optimierten Anschlussbelegung unterstützt DrBlade ein vereinfachtes Leiterplattenlayout.

Musterstückzahlen von DrBlade sind ab sofort erhältlich, Produktionsstückzahlen laut Infineon ab dem zweiten Quartal 2013.