GaN-Leistungshalbleiter Cree lizenziert GaN-Bauteilpatente an Transphorm

Cree hat einen nicht-exklusiven, weltweiten Lizenzvertrag mit Transphorm unterzeichnet, der Transphorm Zugang zu der umfangreichen Familie von Cree-Patenten im Zusammenhang mit GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistor) und GaN-Schottky-Dioden für den Einsatz in der Leistungselektronik bietet.

Bei der lizenzierten Familie von Patenten geht es um verschiedene Aspekte der Herstellung von GaN-Leistungshalbleitern einschließlich Nitridmaterialien sowie das Design von HEMTs und Schottky-Dioden und die entsprechende Prozesstechnologie. Während GaN-HEMTs bereits ausgiebig im HF-Markt von Cree und anderen einsetzt, nutzen Transphorm und einer Reihe von anderen Unternehmen dieses Halbleitermaterial für Leistungshalbleiter.

»Viele Erfindungen, die Cree in den vergangenen 17 Jahren für den HF-Markt etabliert hat, können und sollen von anderen verwendet werden, um Chips für den aufkeimenden GaN-Power-Bereich herzustellen«, erklärt John Palmour, CTO bei Cree und einer deren Mitgründer.