IGBTs Bis 100 kHz schnell schalten

Mit der dritten Generation an schnellen IGBTs von Infineon Technologies, sollen hart schaltende Anwendungen bis 100 kHz Schaltfrequenz möglich sein. Zu haben sind Bausteine von 20 A bis 50 A mit 600 V Sperrspannung sowie 15 A bis 40 A mit 1200 V.

In den letzten Jahren haben die Anforderungen im Markt für diskrete IGBTs dazu geführt, dass Entwickler Bausteine mit spezifischen Charakteristika benötigen, um die beste Performance für ihre jeweilige Anwendung zu erreichen – insbesondere in Bezug auf minimierte Schalt- und Leitungsverluste. So sind die Abschaltverluste bei der neuen »High Speed 3«-IGBT-Generation von Infineon um etwa 35 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration reduziert. Dies resultiert aus einem sehr kurzen Stromschwanz, der um 75 Prozent geringer ist und jetzt mit dem Abschaltverhalten von MOSFETs vergleichbar ist.

Da auch die Sättigungsspannung VCE(sat) eine wichtige Rolle für die Gesamtverluste spielt, müssen Schalt- und Leitungsverluste ausgewogen aufgeteilt sein. Die neuen »High Speed 3«-IGBTs bieten daher nicht nur sehr geringe Schalt-, sondern auch geringe Leitungsverluste dank der »Trenchstop«-Technologie des Herstellers. Für die IGBTs mit Freilaufdiode wurde die Diode für ein schnelles Schalten optimiert, während ein weiches Schalten beibehalten wird, um die Störabstrahlung gering zu halten.

Die Bausteine sind in Volumenstückzahlen verfügbar. Für Musterstückzahlen liegen die Preise zwischen 1,90 Euro (600 V/20 A) und 5,10 Euro (1200 V/40 A).