Toshiba Electronics 4500-V-IEGT-Modul schafft 1200 A

Das  Standardgehäuse des Moduls »MG1200GXH1US61« misst 140 mm x 190 mm.
Das Standardgehäuse des Moduls »MG1200GXH1US61« misst 140 mm x 190 mm.

Ein Leistungsmodul für Anwendungen in der Bahntechnik, in Industrie-Antriebssteuerungen, Systemen der erneuerbaren Energien sowie bei der Stromübertragung und -verteilung hat Toshiba Electronics vorgestellt. Das »MG1200GXH1US61« leitet bis zu 1200 A bei einer Sperrspannung von 4500 V.

Das Modul MG1200GXH1US61 von Toshiba Electronics enthält einen n-Kanal-IEGT (Injection-Enhanced Gate Transistor) und eine Fast-Recovery-Diode (FRD). Sein Standardgehäuse misst 140 mm x 190 mm. Gegenüber der Vorgängergeneration eignet sich das neue Modul für wesentlich höhere Ströme in der 4500-V-Modulklasse. Es soll es dabei helfen, in Hochleistungsschaltanwendungen (Umrichtern, Wechselrichtern und Antriebssteuerungen u.a.) Energie sparen sowie Platz und Gewicht.

Das MG1200GXH1SU61 bietet eine Isolationsspannung von 6 kV (RMS) über eine Minute. Beim Ausschalten handhabt es Kollektor-Spitzenströme bis zu 2400 A. Die Kollektor-Verlustleistung beträgt 4000 W bei +25 °C. Die Betriebstemperaturspanne von -40 °C bis +150 °C ist kompatibel zum erweiterten Temperaturbereich, typisch für Hochspannungsanwendungen.