Mitsubishi Electric stellt neue SiC-MOSFET-Struktur vor

Bild 1: Der spezifische Einschaltwiderstand des neuen SiC-MOSFETs ist um etwa 40 % kleiner als bei herkömmlichen SiC-MOSFETs.

Bild 1: Der spezifische Einschaltwiderstand des neuen SiC-MOSFETs ist um etwa 40 % kleiner als bei herkömmlichen SiC-MOSFETs.