ARM Call for Papers

Konferenz für ARM-Systementwicklung
Konferenz für ARM-Systementwicklung

Die große Konferenz für ARM-Systementwicklung am 11. und 12. Juli 2012 in München bietet Entwicklern die Gelegenheit, sich detailliertes Wissen über die aktuellen Cortex-Architekturen anzueignen, die mittlerweile zum Industriestandard avanciert sind.

Ausführliche Informationen:
www.arm-entwicklerkonferenz.de

iPad 3 Teardown & Light+Building

Intel-Prozessor im Smartphone
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Mit dem Lava Xolo X900 gibt es erstmals ein Smartphone, das auf einem Atom-Prozessor von Intel basiert. Kann das mit ARM mithalten? Wir haben das untersucht.

Der kleinste 32-bit-Core der Welt
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Mit dem Cortex-M0+ hat ARM im März den kleinsten 32-bit-Core der Welt vorgestellt. Wir haben ihn uns einmal genauer angeschaut.

Was bringen Quad-Cores in Smartphones?
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Der Tegra-3 von Nvidia ist der erste Quad-Core-Prozessor für Smartphones und Handys - ganz aktuell im neuen Galaxy S3. Doch bringen vier Kerne im Smartphone überhaupt etwas?

Reingeschaut: Das Galaxy Nexus
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Ein Blick in dass Innenleben des gemeinsam von Google und Samsung entwickelten Smartphones.

Entwicklungstools zum Download
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Zahlreiche Hersteller bieten im Netz Online-Tools, zeitlich begrenzte Testversionen oder ganze Programmme zum Download an. Wir haben eine kleine Auswahl davon zusammengestellt.

Produkte des Jahres 2012

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Marktübersichten Bauelemente

Bauelemente-Marktübersichten

Electronic WebLessons

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Die Electronic WebLessons vermitteln multimedial aufbereitet Basiswissen zum Thema Elektronik. Hier können Sie ihr Praxiswissen auffrischen oder sich die Grundlagen der Elektronik neu aneignen.

27. Januar 2012
TDK-EPC

Puls-Übertrager spart Platz auf der Leiterplatte

TDK-EPC, ein Unternehmen der TDK Corporation, hat eine neue Serie von EP5-SMT-Puls-Übertragern entwickelt. Sie dienen zur Ankopplung von Gate-Ansteuer-Schaltkreisen an MOSFETs und IGBTs im Schaltfrequenzbereich zwischen 150 kHz und einigen MHz.

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TDK-EPC 
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EP5-SMT-Puls-Übertrager zur Ankopplung von Gate-Ansteuer-Schaltkreisen an MOSFETs und IGBTs

Durch die Verwendung von miniaturisierten EP5-Kernen betragen die Abmessungen der Übertrager lediglich 8,1 × 6,7 × 5,4 mm³. Da in einer Schaltung meist mehrere Übertrager verwendet werden, führt dies zu einer deutlichen Platzersparnis auf der Leiterplatte. Durch die besondere Wicklungstechnik betragen die parasitären Kapazitätswerte zwischen den Wicklungen typabhängig nur 25 bis 95 pF. Auch die Streuinduktivitäten konnten gering gehalten werden: Sie liegen zwischen 0,9 und 2,5 µH. Bei allen Typen der Serie B82804A* liegt die Test-Isolationsspannung bei 1500 V(DC). Die Bauelemente sind für Umgebungstemperaturen bis 85 °C und Betriebstemperaturen bis 125 °C ausgelegt.