ARM Call for Papers
Die große Konferenz für ARM-Systementwicklung am 11. und 12. Juli 2012 in München bietet Entwicklern die Gelegenheit, sich detailliertes Wissen über die aktuellen Cortex-Architekturen anzueignen, die mittlerweile zum Industriestandard avanciert sind.
Ausführliche Informationen:
www.arm-entwicklerkonferenz.de
iPad 3 Teardown & Light+Building
Mit dem Lava Xolo X900 gibt es erstmals ein Smartphone, das auf einem Atom-Prozessor von Intel basiert. Kann das mit ARM mithalten? Wir haben das untersucht.
Mit dem Cortex-M0+ hat ARM im März den kleinsten 32-bit-Core der Welt vorgestellt. Wir haben ihn uns einmal genauer angeschaut.
Der Tegra-3 von Nvidia ist der erste Quad-Core-Prozessor für Smartphones und Handys - ganz aktuell im neuen Galaxy S3. Doch bringen vier Kerne im Smartphone überhaupt etwas?
Zahlreiche Hersteller bieten im Netz Online-Tools, zeitlich begrenzte Testversionen oder ganze Programmme zum Download an. Wir haben eine kleine Auswahl davon zusammengestellt.
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Electronic WebLessons
Die Electronic WebLessons vermitteln multimedial aufbereitet Basiswissen zum Thema Elektronik. Hier können Sie ihr Praxiswissen auffrischen oder sich die Grundlagen der Elektronik neu aneignen.
SiC-Vertical-JFET
Vertikale Kanäle für mehr Leistung
SemiSouth hat zwei Sperrschicht-Transistoren auf Basis von Siliziumkarbid herausgebracht.
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Bei den Sperrschicht-Transistoren SJEP120R063 mit einer Sperrspannung von 1200 V und einem RDS(on) von 63 mΩ sowie den SJEP120R050 mit einem RDS(on) von 50 mΩ sind die Kanäle der JFETs vertikal ausgerichtet - daher die Bezeichnung Vertical Junction Field Effect Transistor (V-JFET). Die einzelnen vertikalen Kanäle kann man sich als einzelne Feldeffekt-Transistoren vorstellen.
In der n-dotierten Schicht werden die Ströme der vielen JFETs gesammelt und zur Drain weitergeleitet. In diesem Design können sowohl „Normally-off“- als auch „Normally-on“-JFETs realisiert werden. SemiSouth hat bereits mehrere dieser V-JFETs auf dem Markt. Die Bausteine arbeiten im Temperaturbereich von -55 bis +175.








