ARM Call for Papers

Konferenz für ARM-Systementwicklung
Konferenz für ARM-Systementwicklung

Die große Konferenz für ARM-Systementwicklung am 11. und 12. Juli 2012 in München bietet Entwicklern die Gelegenheit, sich detailliertes Wissen über die aktuellen Cortex-Architekturen anzueignen, die mittlerweile zum Industriestandard avanciert sind.

Ausführliche Informationen:
www.arm-entwicklerkonferenz.de

iPad 3 Teardown & Light+Building

Intel-Prozessor im Smartphone
Intel-Prozessor im Smartphone

Mit dem Lava Xolo X900 gibt es erstmals ein Smartphone, das auf einem Atom-Prozessor von Intel basiert. Kann das mit ARM mithalten? Wir haben das untersucht.

Der kleinste 32-bit-Core der Welt
Der kleinste 32-bit-Core der Welt

Mit dem Cortex-M0+ hat ARM im März den kleinsten 32-bit-Core der Welt vorgestellt. Wir haben ihn uns einmal genauer angeschaut.

Was bringen Quad-Cores in Smartphones?
Was bringen Quad-Cores in Smartphones?

Der Tegra-3 von Nvidia ist der erste Quad-Core-Prozessor für Smartphones und Handys - ganz aktuell im neuen Galaxy S3. Doch bringen vier Kerne im Smartphone überhaupt etwas?

Reingeschaut: Das Galaxy Nexus
Reingeschaut: Das Galaxy Nexus

Ein Blick in dass Innenleben des gemeinsam von Google und Samsung entwickelten Smartphones.

Entwicklungstools zum Download
Entwicklungstools zum Download

Zahlreiche Hersteller bieten im Netz Online-Tools, zeitlich begrenzte Testversionen oder ganze Programmme zum Download an. Wir haben eine kleine Auswahl davon zusammengestellt.

Produkte des Jahres 2012

Events

Marktübersichten Bauelemente

Bauelemente-Marktübersichten

Electronic WebLessons

Electronic WebLessons
Electronic WebLessons

Die Electronic WebLessons vermitteln multimedial aufbereitet Basiswissen zum Thema Elektronik. Hier können Sie ihr Praxiswissen auffrischen oder sich die Grundlagen der Elektronik neu aneignen.

13. Dezember 2011
SiC-MOSFET

Leckstrom unter 1 µA

Cree hat eine Produktfamilie von Siliziumcarbid-MOSFETs unter dem Namen Z-FET auf den Markt gebracht. Dabei steht das Z in Anlehnung an die Schottky-Dioden-Familie Z-Rec für Zero Recovery.

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CMF20120D
Cree 
zoom
Der MF20120D von Cree.

Als erster Vertreter der Leistungs-MOSFET-Famile kommt ein 1200-V-Baustein mit der Bezeichnung CMF20120D auf den Markt. Der Leckstrom liegt unter 1 μV; der Einschaltwiderstand RDS(on) beträgt bei den neuen Bausteinen 80 mΩ bei 25 °C und bleibt über den gesamten Betriebstemperaturbereich unter 100 mΩ. Der Baustein eignet sich für Antriebs-Anwendungen bis 10 kW.