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ARM Call for Papers
Die große Konferenz für ARM-Systementwicklung am 11. und 12. Juli 2012 in München bietet Entwicklern die Gelegenheit, sich detailliertes Wissen über die aktuellen Cortex-Architekturen anzueignen, die mittlerweile zum Industriestandard avanciert sind.
Ausführliche Informationen:
www.arm-entwicklerkonferenz.de
iPad 3 Teardown & Light+Building
Mit dem Lava Xolo X900 gibt es erstmals ein Smartphone, das auf einem Atom-Prozessor von Intel basiert. Kann das mit ARM mithalten? Wir haben das untersucht.
Mit dem Cortex-M0+ hat ARM im März den kleinsten 32-bit-Core der Welt vorgestellt. Wir haben ihn uns einmal genauer angeschaut.
Der Tegra-3 von Nvidia ist der erste Quad-Core-Prozessor für Smartphones und Handys - ganz aktuell im neuen Galaxy S3. Doch bringen vier Kerne im Smartphone überhaupt etwas?
Ein Blick in dass Innenleben des gemeinsam von Google und Samsung entwickelten Smartphones.
Zahlreiche Hersteller bieten im Netz Online-Tools, zeitlich begrenzte Testversionen oder ganze Programmme zum Download an. Wir haben eine kleine Auswahl davon zusammengestellt.
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Electronic WebLessons
Die Electronic WebLessons vermitteln multimedial aufbereitet Basiswissen zum Thema Elektronik. Hier können Sie ihr Praxiswissen auffrischen oder sich die Grundlagen der Elektronik neu aneignen.
Entwicklungshilfe
SiC-JFETs korrekt ansteuern
Siliziumkarbid-JFETs sind eine neue Klasse an Leistungsschaltern, die ein wenig anders anzusteuern sind als Silizium-MOSFETs. Um Entwicklern die Scheu vor dieser neuen Technik zu nehmen, ist nun ein entsprechendes Demo-Board erschienen.
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Das Demo-Board eines Zweikanal-Gate-Treibers von SemiSouth soll Entwicklungskosten sparen und die Entwicklungszeit bei Stromversorgungsmodulen mit SiC-JFETs verkürzen. Das »SGDR2500P2« bietet opto-isolierte High-Side- und Low-Side-Ausgänge, die für Spitzenströme von +20 A und -10 A ausgelegt sind. Zusätzliche Trenntransformatoren sind überflüssig.
Das Board wurde für das schnelle, »harte« Schalten bestimmter Stromversorgungen - darunter das 1200-V/100-A-Halbbrückenmodul »APTJC120AM13VCT1AG« von Microsemi - optimiert, kann aber auch als zeitsparendes Evaluation-Board für Projekte in der Entwicklungs- oder Qualifizierungsphase dienen. Das SGDR2500P2 erzeugt selbst galvanisch getrennte ±15-V-Betriebsspannungen und macht dadurch zusätzliche Stromversorgungen überflüssig.
Es erlaubt Schaltfrequenzen bis zu 100 kHz, sodass Anwender die hervorragenden Hochfrequenzeigenschaften der SiC-Technologie nutzen und kleinere, preisgünstigere Induktivitäten einsetzen können. Das Board erlaubt Tastverhältnisse zwischen 0% und 100%. Typische Anwendungen sind »hart« schaltende Brückentopologien, Wechselrichter und Wandler sowie Produktevaluierung. Die Funktionsweise wird ausführlich in dem Applikationsbericht AN-SS05 beschrieben.
Weiterführende Links:
