Rambus übernimmt Unity Semiconductor
Kindle Teardown
Das Innenleben des Amazon-Tablets: Diese ICs und Komponenten stecken im derzeit vielversprechendsten iPad-Konkurrenten.
Produkte des Jahres 2012
Fachartikel
Leistungsfähigere Akkus, energiesparende Funkstandards und vor allem das Smartphone könnten den Wearable Technologies einen neuen Schub versetzen. Ein paar Beispiele von der ISPO-Sportmesse in München.
Zahlreiche Hersteller bieten im Netz Online-Tools, zeitlich begrenzte Testversionen oder ganze Programmme zum Download an. Wir haben eine kleine Auswahl davon zusammengestellt.
Höhere Betriebstemperatur, schnellere Schaltfrequenz, kleinere Preise. Wie schon bei Silizium geht auch der Trend bei den neuen Materialien wie Siliziumcarbid und Galliumnitrid hin zu höheren Leistungsdichten.
Infoboxen Bauelemente
Studie Supply Assurance
Wie kann die Elektronik-Lieferkette widerstandsfähiger gegen äußere Einflüsse werden? Das wollten Markt & Technik und das Beratungsunternehmen PRTM/PwC in ihrer gemeinsamen Studie »Supply Assurance«, herausfinden.
Hier eine kurze Zusammenfassung.
Die Ergebnisse können Sie als pdf gegen eine Schutzgebühr von 190,-- € hier bestellen.
Events
21. - 22. März in München
Die Ansprüche an die Automatisierungsplattformen steigen enorm: Gefordert sind immer kürzere Entwicklungszeiten, eine höhere Software-Qualität und die Verwendung moderner Software-Engineering-Methoden. Inwieweit erfüllen die Plattformen der Automatisierungsanbieter diese Anforderungen der Maschinenbauer? Die Unternehmen Siemens, Rockwell Automation, Beckhoff und B&R mehr...
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Marktübersichten Bauelemente
Wer bietet was?
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Electronic WebLessons
Die Electronic WebLessons vermitteln multimedial aufbereitet Basiswissen zum Thema Elektronik. Hier können Sie ihr Praxiswissen auffrischen oder sich die Grundlagen der Elektronik neu aneignen.
SiC-Vertical-JFET
Vertikale Kanäle für mehr Leistung
SemiSouth hat zwei Sperrschicht-Transistoren auf Basis von Siliziumkarbid herausgebracht. mehr...
IGBT-Treiber
Für Umrichter bis 1,5 MW
Mit dem Skyper 42 bietet Semikron einen Treiber für IGBT-Module von 400 bis 2.000 A. mehr...
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SiC-MOSFET
Leckstrom unter 1 µA
Cree hat eine Produktfamilie von Siliziumcarbid-MOSFETs unter dem Namen Z-FET auf den Markt gebracht. Dabei steht das Z in Anlehnung an die Schottky-Dioden-Familie Z-Rec für Zero Recovery. mehr...
Amantys
Universeller Treiber für IGBT-Module
Jedes IGBT-Modul hat seine eigene Charakteristik, weshalb der IGBT-Treiber jeweils neu zu entwickeln ist. Doch ist das wirklich nötig? mehr...
Entwicklungshilfe
SiC-JFETs korrekt ansteuern
Siliziumkarbid-JFETs sind eine neue Klasse an Leistungsschaltern, die ein wenig anders anzusteuern sind als Silizium-MOSFETs. Um Entwicklern die Scheu vor dieser neuen Technik zu nehmen, ist nun ein entsprechendes Demo-Board erschienen. mehr...
Altera
FPGA-basierte Lösung für Serial RapidIO Gen2
Altera kündigte eine FPGA-basierte Lösung für Serial RapidIO Gen2 an. Damit wird die Bandbreite und die Verbindungs-Flexibilität für kommende 3G- und 4G-Systeme deutlich verbessert. Altera konnte die Interoperabilität seines RapidIO MegaCore Function IP-Cores, implementiert in einem Stratix IV GX-FPGA mit dem Serial RapidIO Gen 2 Switch von Integrated Device Technology (IDT) zeigen. mehr...
Schnelles taktiles Feedback, kurze Start-up-Zeit
Hochintegrierter piezo-haptischer Treiber-IC
Eine im Vergleich zu Konkurrenzlösungen um 50 Prozent kleinere Gesamtlösung und bis zu 40 Prozent Kostenersparnis verspricht Texas Instruments mit seinem piezo-haptischen Treiberbaustein DRV8662 für mobile Anwendungen in der Unterhaltungselektronik und Industrie. mehr...
100-mA-DC/DC-Abwärtswandler mit 3 MHz
TI: 20 Prozent längere Akkulaufzeit
Der neue synchrone 100-mA-DC/DC-Abwärtswandler TPS62730 von Texas Instruments arbeitet mit einer Schaltfrequenz von 3 MHz und ist mit einem integrierten Bypass-Schalter sowie der DCS-Control-Technik ausgestattet. mehr...
225 Spannungskombinationen
Semtech: Kleiner zweifach-4-A-POL-Regler
Der zweikanalige 4-A-POL-Regler SC286 von Semtech enthält zwei Abwärtswandler, Leistungs-MOSFETs, MOSFET-Treiber und die Schleifenkompensierung in einem Gehäuse mit den Abmessungen 4 mm x 4mm x 0,6 mm. mehr...
Infineon Technologies: Über 3,5 Mrd. CoolMOS-Hochvolt-MOSFETs
Erster 650-Volt-MOSFET mit integrierter Fast-Body-Diode
Mit über 3,5 Mrd. verkauften CoolMOS-Hochvolt-MOSFETs ist Infineon Technologies der weltweit erfolgreichste Anbieter von Transistoren für Spannungen von 500 bis 900 V. Jetzt kommen die ersten 650-V-MOSFETs mit integrierter Fast-Body-Diode auf den Markt. mehr...









