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ARM Call for Papers
Die große Konferenz für ARM-Systementwicklung am 11. und 12. Juli 2012 in München bietet Entwicklern die Gelegenheit, sich detailliertes Wissen über die aktuellen Cortex-Architekturen anzueignen, die mittlerweile zum Industriestandard avanciert sind.
Ausführliche Informationen:
www.arm-entwicklerkonferenz.de
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Electronic WebLessons
Die Electronic WebLessons vermitteln multimedial aufbereitet Basiswissen zum Thema Elektronik. Hier können Sie ihr Praxiswissen auffrischen oder sich die Grundlagen der Elektronik neu aneignen.
Intels 32 nm-Prozess erhöht Transistor-Schaltgeschwindigkeit um 20 %
Auf der IEDM hatte Intel seinen 32-nm-Prozess genauer vorgestellt. Um zu zeigen, dass es funktioniert, wurde eine SRAM-Zelle mit noch nicht da gewesener Speicherkapazität gezeigt.
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Auf dem 54. International Electron Device Meeting (IEDM) in San Francisco stand der Übergang zu neuen Prozessgenerationen im Fokus. Einer der Höhepunkte war die Präsentation des 32nm-High K/Metal-Gate-Prozesses von Intel, dessen Serieneinsatz in der zweiten Jahreshälfte 2009 beginnen soll.
Zu den ersten 32-nm-Prozessoren soll »Westmere« gehören, der bis auf die kleineren Strukturen nur wenig veränderte Nachfolger des kürzlich mit 45-nm-Technik als Core i7 eingeführten »Nehalem«. Intel wechselt dabei auf 193-nm-Immersionslithografie.
Wie bei der 45-nm-Technik setzt Intel auch bei der 32-nm-Generation auf »HKMG«, also eine »High-k«-Isolationsschicht (aus einer Hafniumverbindung) zwischen den Gate-Elektroden und den Kanälen der Chip-Transistoren, die eine besonders hohe Dielektrizitätszahl aufweist, sowie auf Gate-Elektroden aus einer speziellen Metalllegierung (Metal Gate).
HKMG und das Strain-Verfahren tragen dazu bei, dass laut Intel die höchsten Treiberströme die jemals für PMOS und NOMS gemessen wurden, erreicht werden können. Ein 32 nm-Transistor dürfte damit ca. 20 Prozent schneller sein als sein 45-nm-Vorgänger. Die Prozesskosten sollen laut Intel nur um 4 Prozent steigen, da keine zusätzlichen Maskensätze notwendig werden.
»Testvehikel« für den 32 nm-Prozess war ein 291 Mbit großer SRAM-Chip, dessen SRAM-Zellgröße 0,171 µm² beträgt, der mehr als 1,9 Mrd. Transistoren enthält sowie eine Dichte von 4,2 Mbyte/mm² aufweist.
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