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Toshiba: MOSFET mit geringem Durchlasswiderstand

Toshiba Electronics Europe erweitert sein Angebot an UMOS9 MOSFETs um einen 40V n-Kanal-MOSFET im Gehäuse DPAK+. Der TK1R4S04PB eignet sich für Antriebssteuerungen, wie für Wasser-, Benzin-, und Ölpumpen, Lüfter oder EPS.

Der 40-V-n-Kanal-MOSFET TK1R4S04PB von Toshiba. Bildquelle: © Toshiba

Der 40-V-n-Kanal-MOSFET TK1R4S04PB von Toshiba.

Der MOSFET von Toshiba [1]besitzt einen RDS(ON) von maximal 1,35 mΩ bei UGS=10 V. Zu diesem Wert haben die UMOS9-Trench-Technologie beigetragen, die RDS(ON) x A verringert sowie das DPAK+ Gehäuse, das im Vergleich zu herkömmlichen DPAKs den Gehäusewiderstand senkt.

Das Gehäuse ist kompatibel zu Standard-DPAK-Designs und misst  6,5 mm x 9,5 mm. Es bietet eine Kupferklemme anstelle der herkömmlichen Bonddrähte. Die Klemme verfügt über eine große Kontaktfläche und wird direkt an der Metallisierung des Chips befestigt.