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augenBLICK
PCIM Europe 2012: Nachhaltigkeit und Energieeffizienz im Fokus.
Elektromobilität war eines der Hauptthemen auf der PCIM Europe 2012.
Automotive Congress Video
Das Video zum 4. Elektronik automotive congress 2012.
Bordnetz-Kongress
Call for Papers & Workshops!
Auf dem Bordnetz Kongress am 25. September 2012 in Landshut dreht sich alles um DAS zentrale Element jedes Fahrzeugs.
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Elektromobilität
Akuelles rund um die elektrische Mobilität
Automobilelektronik-Trends Special
Sicherheitssysteme, Vernetzung, Elektromobilität bzw. Energieeffizienz -sowie der Einfluss Chinas stehen in diesem Jahr auf der Agenda der -Automobil-Branche. Vertreter der automobilen Wertschöpfungskette -geben einen Ausblick auf das laufende Jahr.
MOST-Special
Mehr als 100 Fahrzeugmodelle nutzen bereits die MOST-Technologie. Wo sie genutzt wird und wie es in der Zukunft weitergeht, können Sie in unserem englisch-sprachigen MOST-Special herausfinden.
Die MOST-Ecke
Infineon Technologies
100 Prozent bleifreier Automotive-MOSFET
Bei den Leistungs-MOSFETs der OptiMOS-T2-Serie von Infineon Technologies erfolgt die Verbindung zwischen Die und Gehäuse per Diffusionslöten. Das Ergebnis sind automotive-qualifzierte Bausteine, die zu 100 Prozent bleifrei sind.
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Damit erfüllt Infineon nicht nur die derzeit geltenden RoHS-Vorgaben, sondern auch die möglicherweise ab 2014 geltenden RoHS-Richtlinien des ELV-Gremiums (End of Life Vehicles).
Das beim Die-Attach verwendete Diffusionslöten stellt besondere Anforderungen an die Gehäusegeometrie, die Dicke der Anschluss-Pads und die Chipgröße. Deshalb wird es derzeit nur für drei Gehäusetypen angewendet: TO-220, TO-262 und TO-263. Diffusionslöten verbessert das elektrische und thermische Verhalten und die Qualität von MOSFETs. Es vereinfacht außerdem deren Fertigung. Dabei ist die Technologie sehr umweltfreundlich, da weder Blei noch andere toxische Materialien verwendet werden. In Kombination mit der Dünn-Wafer-Technologie sorgt sie für deutlich geringere RDS(on)-Werte.
Der neue OptiMOS-T2-40-V-Transistor IPB160N04S4-02D hat einen RDS(on) von nur 2,0 mΩ und einen RthJC von 0,9 K/W. Der Durchlasswiderstand ist damit um etwa 20 Prozent geringer als bei vergleichbaren Bausteinen.
Bereits verfügbar sind der IPB160N04S4-02D (160 A, TO-263-Gehäuse), der IPB100N04S4-02D (100 A, TO-263), der IPP100N04S4-03D (100 A, TO-220) und der IPI100N04S4-03D (100 A, TO-262).
Weiterführende Links:
- Leistungselektronik: Effizienzsteigerung sichert Markterfolg von Elektro- und Hybridfahrzeugen
- Infineon Technologies AG: MOSFETs für energieeffiziente Anwendungen im Auto
- Infineon Technologies: Neue Multicore-Architektur für Automotive-Mikrocontroller
- Elektromobilität für den breiten Markt: Produktinnovationen und neue Partnerschaften sind gefordert
- Gehäuse-Technologie für Leistungshalbleiter: Mit hoher Stromtragfähigkeit und hohem Wirkungsgrad
- Betrieb von Trench-Power-MOSFETs im Linearbereich: Transistor am Limit
- 4. Elektronik automotive congress 2012: Programm online!
