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augenBLICK
PCIM Europe 2012: Nachhaltigkeit und Energieeffizienz im Fokus.
Elektromobilität war eines der Hauptthemen auf der PCIM Europe 2012.
Automotive Congress Video
Das Video zum 4. Elektronik automotive congress 2012.
Bordnetz-Kongress
Call for Papers & Workshops!
Auf dem Bordnetz Kongress am 25. September 2012 in Landshut dreht sich alles um DAS zentrale Element jedes Fahrzeugs.
Senden Sie uns jetzt Ihre Beiträge zu bordnetzrelevanten Themen!
Elektromobilität
Akuelles rund um die elektrische Mobilität
Automobilelektronik-Trends Special
Sicherheitssysteme, Vernetzung, Elektromobilität bzw. Energieeffizienz -sowie der Einfluss Chinas stehen in diesem Jahr auf der Agenda der -Automobil-Branche. Vertreter der automobilen Wertschöpfungskette -geben einen Ausblick auf das laufende Jahr.
MOST-Special
Mehr als 100 Fahrzeugmodelle nutzen bereits die MOST-Technologie. Wo sie genutzt wird und wie es in der Zukunft weitergeht, können Sie in unserem englisch-sprachigen MOST-Special herausfinden.
Die MOST-Ecke
Toshiba Electronics Europe
Leistungs-MOSFETs im verbesserten DPAK+-Gehäuse
Die neuen robusten Leistungs-MOSFETs von Toshiba werden in einem verbesserten DPAK+-Gehäuse verpackt und bieten dadurch mehr Zuverlässigkeit sowie eine höhere Leistungsfähigkeit.
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Die MOSFETs werden im neuesten Trench-MOS-Prozess gefertigt und eignen sich speziell für Automobilanwendungen, wie z.B. Schaltreglern, DC/DC-Wandlern und Antriebssteuerungen.
Das DPAK+ Gehäuse weist den gleichen Formfaktor wie ein herkömmliches DPAK-Gehäuse auf und ist dazu anschlusskompatibel. Es besitzt einen geringeren Durchlasswiderstand und weniger Wärmeverluste, was im Vergleich zu herkömmlichen DPAK-Gehäusen die Effizienz, die Stromweiterleitung und die Zuverlässigkeit erhöht.
Möglich wird dies dadurch, dass die internen Aluminium-Bonddrähte zwischen dem MOSFET-Die und den Gehäuseanschlüssen durch breitere Kupferklemmen ersetzt wurden. Der Klemmmechanismus sorgt für eine zuverlässige, feste mechanische Verbindung, die Lastwechselfestigkeit sowie mechanischen Stößen und Vibrationen standhält. Die größere Querschnittsfläche und die elektrisch leitfähigere Verbindung minimieren die durch Gehäuseverluste erzeugte Wärme und verringern die Gehäuse-Induktivität.
Die MOSFET-Familie umfasst elf n-Kanal-Bausteine mit den maximalen Nennspannungen 40, 60 und 100 V sowie zehn p-Kanal-Bausteinen mit Nennspannungen von -40 und -60 V. Die Nennströme reichen je nach gewähltem Baustein von ±8 bis ±80 A. Alle MOSFETs sind für Kanaltemperaturen bis zu 175 °C ausgelegt.
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