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augenBLICK
PCIM Europe 2012: Nachhaltigkeit und Energieeffizienz im Fokus.
Elektromobilität war eines der Hauptthemen auf der PCIM Europe 2012.
Automotive Congress Video
Das Video zum 4. Elektronik automotive congress 2012.
Bordnetz-Kongress
Call for Papers & Workshops!
Auf dem Bordnetz Kongress am 25. September 2012 in Landshut dreht sich alles um DAS zentrale Element jedes Fahrzeugs.
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Elektromobilität
Akuelles rund um die elektrische Mobilität
Automobilelektronik-Trends Special
Sicherheitssysteme, Vernetzung, Elektromobilität bzw. Energieeffizienz -sowie der Einfluss Chinas stehen in diesem Jahr auf der Agenda der -Automobil-Branche. Vertreter der automobilen Wertschöpfungskette -geben einen Ausblick auf das laufende Jahr.
MOST-Special
Mehr als 100 Fahrzeugmodelle nutzen bereits die MOST-Technologie. Wo sie genutzt wird und wie es in der Zukunft weitergeht, können Sie in unserem englisch-sprachigen MOST-Special herausfinden.
Die MOST-Ecke
ON Semiconductor
Leistungs-MOSFETs in kleinen Gehäusen
Sechs neue AEC-Q101-qualifizierte Logikpegel-Leistungs-MOSFETs im kleinen Flatlead-Gehäuse bieten hohe Nennströme bei geringem Durchlasswiderstand und erfüllen die Anforderungen im Automotive-Bereich.
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ON Semiconductor bietet sechs neue AEC-Q101-qualifizierte Logikpegel-Einkanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Module an. Die Bausteine werden im 5 mm x 6 mm SO-8FL-Gehäuse und im 3,3 mm x 3,3 mm WDFN-8-Gehäuse ausgeliefert, nehmen nur die Hälfte oder sogar noch weniger Platz als Standard-DPAK-Gehäuse ein und bieten dennoch den gleichen oder einen geringeren Durchlasswiderstand. Im Vergleich zu den gängigen DPAK-Gehäusen sparen die neuen Leistungs-MOSFETs wertvollen Platz auf der Leiterplatte und eignen sich für das Schalten von Lasten, die DC/DC-Wandlung und für das Power Management in Automotive-Anwendungen wie z.B. Kraftstoff-Einspritzanlagen und Motorsteuerungstreibern.
ON Semiconductors neue Leistungs-MOSFETs stehen in den Versionen 30, 40 und 60 V sowie n- und p-Kanal zur Verfügung und bieten Kunden eine breite Auswahl für deren Produktdesign. Der sehr niedrige Durchlasswiderstand [RDS(on)] minimiert Durchlass- und Leistungsverluste, während die hohe Stromfestigkeit – je nach Baustein von 6,3 bis 65 A – eine robuste Last-Performance garantiert. Die AEC-Q101-Qualifizierung unterstreicht die Eignung der Bausteine für den Automotive-Bereich.
Der NVMFS4841N (30 V, 65 A, Single n-Kanal) wird im SO-8FL-Gehäuse ausgeliefert; der NVTFS4823N (30 V, 30 A, Single n-Kanal), NVTFS5116PL (60 V, 14 A, Single p-Kanal), NVTFS5811NL (40 V, 40 A, Single n-Kanal), NVTFS5826NL (60 V, 20 A, Single n-Kanal) und der NVTFS5820NL (60 V, 29 A, Single n-Kanal) in WDFN-8-Gehäusen.
ON Semiconductors neue MOSFETs kosten bei Abnahme in Einheiten zu 1.500 Stück zwischen 0,39 und 0,60 Dollar.
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