augenBLICK

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PCIM Europe 2012: Nachhaltigkeit und Energieeffizienz im Fokus.

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Elektromobilität war eines der Hauptthemen auf der PCIM Europe 2012.

Automotive Congress Video

4. Elektronik automotive congress

Das Video zum 4. Elektronik automotive congress 2012.

Bordnetz-Kongress

Bordnetz Kongress 2012

Call for Papers & Workshops!

Bordnetz Kongress 2012

Auf dem Bordnetz Kongress am 25. September 2012 in Landshut dreht sich alles um DAS zentrale Element jedes Fahrzeugs.

Senden Sie uns jetzt Ihre Beiträge zu bordnetzrelevanten Themen!

Elektromobilität

Themenkanal Elektromobilität

Akuelles rund um die elektrische Mobilität

Themenkanal Elektromobilität


Automobilelektronik-Trends Special

Automobilelektronik-Trends 2012
Automobilelektronik-Trends 2012

Sicherheitssysteme, Vernetzung, Elektromobilität bzw. Energieeffizienz -sowie der Einfluss Chinas stehen in diesem Jahr auf der Agenda der -Automobil-Branche. Vertreter der automobilen Wertschöpfungskette -geben einen Ausblick auf das laufende Jahr.

MOST-Special

MOST-Special
MOST-Special

Mehr als 100 Fahrzeugmodelle nutzen bereits die MOST-Technologie. Wo sie genutzt wird und wie es in der Zukunft weitergeht, können Sie in unserem englisch-sprachigen MOST-Special herausfinden.

Die MOST-Ecke

Die MOST-Ecke
10. September 2010
Rohm Semiconductor

Für Automotive-Anwendungen optimiertes EEPROM

Rohm Semiconductor hat unter der Bezeichnung BR35Hxxx eine neue EEPROM-Familie mit SPI-Bus angekündigt, die für speziell für die Anwendung in automobilen Steuergeräten optimiert wurden.

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Sie eignen sich beispielsweise für den Einsatz in ABS-, Airbag- oder Getriebesteuergeräten und wurden deshalb für Temperaturen bis zu 125 °C ausgelegt. Die Serie BR35Hxxx wird u.a. in einem kompakten MSOP8-Gehäuse mit 16 oder 32 Kbit Speicher ausgeliefert. In anderen Gehäusen stehen Speicherkapazitäten von bis zu 128 Kbit zur Auswahl.

Gegenüber konventionellen Speicherbausteinen wurde nach Angaben von Rohm die Chip-Fläche um 60 Prozent reduziert. Gleichzeitig wurde zur Vermeidung von Fehlfunktionen aufgrund zufälliger Defekte im Baustein eine spezielle Doppelzellen-Struktur eingesetzt. Zudem verfügen die Bausteine über eine doppelte Reset-Schaltung zur Unterbindung fehlerhafter Schreibzugriffe selbst bei instabiler Batteriespannung und eine ESD-Beständigkeit von bis zu 6 kV (HBM).