RSS
Twitter
augenBLICK
PCIM Europe 2012: Nachhaltigkeit und Energieeffizienz im Fokus.
Elektromobilität war eines der Hauptthemen auf der PCIM Europe 2012.
Automotive Congress Video
Das Video zum 4. Elektronik automotive congress 2012.
Bordnetz-Kongress
Call for Papers & Workshops!
Auf dem Bordnetz Kongress am 25. September 2012 in Landshut dreht sich alles um DAS zentrale Element jedes Fahrzeugs.
Senden Sie uns jetzt Ihre Beiträge zu bordnetzrelevanten Themen!
Elektromobilität
Akuelles rund um die elektrische Mobilität
Automobilelektronik-Trends Special
Sicherheitssysteme, Vernetzung, Elektromobilität bzw. Energieeffizienz -sowie der Einfluss Chinas stehen in diesem Jahr auf der Agenda der -Automobil-Branche. Vertreter der automobilen Wertschöpfungskette -geben einen Ausblick auf das laufende Jahr.
MOST-Special
Mehr als 100 Fahrzeugmodelle nutzen bereits die MOST-Technologie. Wo sie genutzt wird und wie es in der Zukunft weitergeht, können Sie in unserem englisch-sprachigen MOST-Special herausfinden.
Die MOST-Ecke
Infineon Technologies
30-V-MOSFETs liefern 180 A bei niedrigstem Durchlasswiderstand
Infineon Technologies bietet 30-V-MOSFETs mit einem sehr niedrigen Durchlasswiderstand für Hochstrom-Anwendungen im Fahrzeug.
Anzeige
Die neuen OptiMOS-T2 30-V-MOSFETs sind N-Kanal-Leistungsschalter mit einem Drain-Strom von 180 A und einem R DS(on) von nur 0,9 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der IPB180N03S4L-H0 im D2PAK-7-Gehäuse erfüllt die Anforderungen nach kostengünstigen Leistungs-MOSFETs in Standard-Gehäusen, die sowohl hohe Nennströme als auch geringste RDS(on)-Werte bieten.
Die OptiMOS-T2-Bausteine gehören zu Infineons zweiter Trench-Technologie-Generation von Leistungs-MOSFETs. Sie wurden speziell für Hochstrom-Anwendungen von Fahrzeugen entwickelt und kommen im Antriebsstrang, der elektrischen Servolenkung (Electrical Power Steering, EPS) und in verschiedenen Start/Stopp-Funktionen zum Einsatz.
Aus Kosten- und Effizienzgründen gibt es in der Automobilbranche laut Unternehmensangaben einen klaren Trend hin zu Trench-Konzepten. Leistungs-MOSFETs mit Trench-Technologien wie OptiMOS-T2 bieten signifikante Verbesserungen sowohl bei Durchlasswiderstand als auch bei Gate-Ladung. Das zeigt sich beim FOM-Wert (Figure of Merit, Produkt aus Gate-Ladung und R DS(on)-Wert), der beim OptiMOS-T2 eine der branchenweit niedrigsten ist.
Darüber hinaus ist Infineons „Powerbond“-Hochstrom-Technologie besser als bisherige Drahtbond-Lösungen, denn sie senkt den R DS(on)-Abfall am Bonddraht und erhöht die Stromtragfähigkeit. Dadurch bleiben die Bonddrähte kühler, was die Zuverlässigkeit verbessert. Infineons neueste Powerbond-Technologie ermöglicht eine vierfache 500-µm-Doppel-Drahtkontaktierung in einem einzigen MOSFET, was im Standardgehäuse einen Strom von 180 A zulässt.
Die OptiMOS-T2-Technologien und die Gehäuse widerstehen Temperaturen von 260 °C beim Reflow-Löten mit MSL1 (Moisture Level 1) und bieten bleifreie Anschlüsse gemäß RoHS. Der Leistungs-MOSFET IPB180N03S4L-H0 ist nach den Spezifikationen des Automotive Electronics Council (AEC-Q101) qualifiziert.
Der IPB180N03S4L-H0 zielt auf Hochstrom-Applikationen mit mehr als 500 A, indem mehrere MOSFETs parallel betrieben werden. Da der IPB180N03S4L-H0 einen Nennstrom von 180 A liefert, lassen sich in Hochstrom-Anwendungen ein oder mehrere MOSFETs einsparen, um Strom-Aufteilung, thermisches Verhalten und Kosten zu optimieren.
Der 30 V IPB180N03S4L-H0 mit 180 A Drain-Strom und einem R DS(on) von nur 0,9 mΩ ist in Produktion. Infineon bietet für sehr kostenkritische Anwendungen auch eine Variante mit 30 V/180 A (IPB180N03S4L-01) und einem R DS(on) von 1,05 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung an.
Weiterführende Links:
