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Hella, GaN Systems und Kettering University: Gemeinsame Entwickelung eines Ladegeräts für E-Autos

Hella hat zusammen mit GaN Systems und dem Bereich Ladetechnologie des Kettering University Advanced Power Electronics Lab einen Prototyp für ein Level-2-Ladegerät für Elektrofahrzeuge entwickelt.

Das EV-Ladegerät von Hella und der Kettering University ist mit GS66516T Transistoren von GaN Systems ausgerüstet. Bildquelle: © GaN Systems
Das EV-Ladegerät von Hella und der Kettering University ist mit GS66516T Transistoren von GaN Systems ausgerüstet.

Der Prototyp von Hella [1], GaN Systems und der Kettering University soll Wirkungsgrade von über 97 Prozent erzielen und eine Leistungsdichte von 2,6 kW/l aufweisen. Vor diesem Erfolg erreichten Level-2-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge maximale Wirkungsgrade von 94 Prozent. Unter Verwendung der 60 A-, 650 V GS66516T-Schalter von GaN Systems in einer Zweistufenarchitektur konnte das Forschungsteam der Kettering University den »Wall-to-battery«-Wirkungsgrad um mehr als 3 Prozent über den zuvor erreichten Wert anheben.