STMicroelectronics und Semikron kooperieren

Semikron International wird im Rahmen einer Kooperation die Leistungshalbleiter von STMicroelectronics in seine SEMITOP-Leistungsmodule integrieren.

Umgekehrt wird ST das Know-how von Semikron für den Ausbau seiner proprietären ESBT-Komponenten (Emitter-Switched Bipolar Transistor) verwenden. Damit erschließen sich neue Einsatzmöglichkeiten für traditionelle Leistungsbausteine wie etwa IGBTs und MOSFETs sowie für die ESBTs, die Bipolar- und MOSFET-Leistungsstrukturen kombinieren und sich damit sowohl für hohe Spannungen als auch für hohe Schaltfrequenzen eignen.

In den SEMITOP-Gehäusen lassen sich mehrere Chips, darunter IGBTs, Dioden und Eingangs-Brückengleichrichter, in einem einzigen Modul unterbringen. Diese Integration auf der Gehäuse-Ebene verringert den Bauteileaufwand sowie die benötigte Leiterplattenfläche gegenüber diskreten Lösungen und erhöht die Zuverlässigkeit.

Die neuen integrierten Leistungs-Module von ST und Semikron zielen auf ein breites Spektrum von Marktsegmenten und Anwendungen ab, von Schweißanlagen über unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Hausgeräte und Antriebe bis zu Schaltnetzteilen. Die Massenproduktion wollen beide Unternehmen im zweiten Quartal 2006 aufnehmen. ST und Semikron werden die Produkte unabhängig voneinander vermarkten.

Mehr zu diesem Thema finden Sie in Ausgabe 16 der »Markt&Technik« ab Seite 1. Sie erscheint am 21. April 2006.